AOT412 与 IPP180N10N3 G 区别
| 型号 | AOT412 | IPP180N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOT412 | A-IPP180N10N3 G |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 100 | - |
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.8mΩ@10V | 15.5mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| 上升时间 | - | 12ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 19.4mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 25nC |
| Qgd(nC) | 15 | - |
| 栅极电压Vgs | 25V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 20S |
| Td(on)(ns) | 19 | - |
| 封装/外壳 | TO-220 | - |
| 连续漏极电流Id | 60A | 43A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| Ciss(pF) | 2680 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 下降时间 | - | 5ns |
| Schottky Diode | No | - |
| 高度 | - | 15.65mm |
| Trr(ns) | 22 Ohms | - |
| Td(off)(ns) | 27 | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W | 71W |
| Qrr(nC) | 96 | - |
| VGS(th) | 3.8 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| Coss(pF) | 260 | - |
| Qg*(nC) | 45 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOT412 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 25V 60A 150W 15.8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP80NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 85,500 | 对比 |
|
IPP180N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 43A 15.5mΩ 20V 71W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STP80NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN015-100P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN016-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 100V 57A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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